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详细介绍
日立的高亮度电子源可保证了即使在超低着陆电压下，也可获得超高分辨的图像。
0.8 kV电压条件下观察RHO型沸石的实例。左图为颗粒整体的形貌,右图为放大图像，颗粒表面细微的台阶结构清晰可见。低电压观察对于减少电子束损伤和获取表面形状信息较为有效。
样品提供：日本工业技术综合研究所 上村 佳大 先生
3D NAND截面观察;
在低加速电压条件下，背散射电子信号能够明显的显示出氧化硅层和氮化硅层的衬度差别。
由于使用了新型的OCD探测器，即使扫描时间不到1秒，也仍然可以观察到Fin-FET清晰的深层结构图像.
EM Flow Creator 允许客户创建连续图像采集的自动化工作流程。EM Flow Creator将不同的SEM功能定义为图形化的模块，如设置放大倍率、移动样品位置、调节焦距和明暗对比度等。用户可以通过简单的鼠标拖拽，将这些模块按逻辑顺序组成一个工作程序。经过调试和确认后，该程序便可以在每次调用时自动获得高质量、重现性好的图像数据。
原生支持双显示器，提供灵活、高效的操作空间。6通道同时显示与保存，实现快速的多信号观测与采集。
1,2,4 或6通道信号可在同一个显示器上同时显示，可切换内容包括SEM各探测器以及样品室相机和导航相机。可以通过使用两个显示器来扩展工作空间，可定制的用户界面以提高工作效率。
| 机型 | SU8600 系列 | |
|---|---|---|
| 电子光学系统 | 二次电子像分辨率 | 0.6 nm@15 kV |
| 0.7 nm@1 kV * | ||
| 放大倍率 | 20 to 2,000,000 x | |
| 电子枪 | 冷场发射电子源，支持柔性闪烁功能，包含阳极烘烤系统。 | |
| 加速电压 | 0.5 to 30 kV | |
| 着陆电压 * | 0.01 to 20 kV | |
| 探测器 | （部分为选配项） | 上探测器(UD) |
| UD ExB能量过滤器，包含SE/BSE信号混合功能 | ||
| 下探测器(LD) | ||
| 顶探测器(TD) | ||
| TD能量过滤器 | ||
| 镜筒内背散射电子探测器(IMD) | ||
| 半导体式背散射电子探测器 (PD-BSED) | ||
| 新型闪烁体式背散射电子探测器(OCD) | ||
| 阴极荧光探测器(CLD) | ||
| 扫描透射探测器(STEM Detector) | ||
| 附件 | （部分为选配项） | 导航相机、样品室相机、X射线能谱仪(EDS)、背散射电子衍射探测器(EBSD) |
| 软件 | （部分为选配项） | EM Flow Creater、HD Capture( 40,960×30,720 像素） |
| 样品台 | 马达驱动轴 | 5轴马达驱动（X/Y/R/Z/T） |
| 马达驱动轴 | X：0~110 mm | |
| Y：0~110 mm | ||
| Z：1.5~40 mm | ||
| T：-5~70° | ||
| R：360° | ||
| 样品室 | 样品尺寸 | 直径：150 mm |
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